半橋半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020886429.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211858643U | 公開（公告）日 | 2020-11-03 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211858643U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-03 |
| 分類號(hào) | H01L23/495(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 廖兵;沈禮福 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州達(dá)晶微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 王健 |
| 地址 | 215163江蘇省蘇州市高新區(qū)科技城培源路2號(hào)微系統(tǒng)園M1-204 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開一種半橋半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括2個(gè)二極管芯片、金屬基座、第一引線架和第二引線架，一環(huán)氧封裝層包覆于2個(gè)二極管芯片、金屬基座、第一引線架和第二引線架上；所述第一引線架和第二引線架均進(jìn)一步包括橫金屬板和分別位于橫金屬板兩端的豎金屬板和向下外凸的焊接凸部，所述第一引線架和第二引線架各自的焊接凸部分別通過焊錫層與2個(gè)二極管芯片各自同極性另一端電連接；所述環(huán)氧封裝層的下表面且位于2個(gè)所述第二引腳部左右側(cè)均開有至少一個(gè)第一凹槽。本實(shí)用新型既有利于進(jìn)一步降低器件的體積和占用PCB電路板的面積，滿足市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品小型化需求。?? |
