一種IGBT的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810959024.8 申請日 -
公開（公告）號 CN109087945B 公開（公告）日 2021-11-26
申請公布號 CN109087945B 申請公布日 2021-11-26
分類號 H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖兵;沈禮福 申請（專利權(quán)）人 蘇州達(dá)晶微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 215000 江蘇省蘇州市高新區(qū)科技城培源路2號微系統(tǒng)園M1-204
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種IGBT的制造方法，首先在N?襯底上形成N+少子存儲區(qū)域，再通過比N+少子存儲區(qū)域更大的光刻視場形成窗口，以保證P+區(qū)域可以在橫向上完全覆蓋N+少子存儲區(qū)域，形成被N+少子存儲層半包圍的P+區(qū)域，通過這種方式既引入了CS區(qū)域，又最大程度的降低了CS層對器件擊穿電壓的影響，最終得到了平面局域少子存儲IGBT，既有效提升導(dǎo)通壓降與關(guān)斷損耗間的折衷關(guān)系又最大程度的減少了少子存儲區(qū)域?qū)ζ骷膿舸╇妷旱挠绊懀景l(fā)明實用性強(qiáng)、易于使用和推廣。