一種淺溝槽結(jié)構(gòu)器件溝槽
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202021325475.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN212485333U | 公開（公告）日 | 2021-02-05 |
| 申請公布號 | CN212485333U | 申請公布日 | 2021-02-05 |
| 分類號 | H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李昊 | 申請（專利權(quán)）人 | 朝陽微電子科技股份有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京鼎佳達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 侯蔚寰 |
| 地址 | 122000遼寧省朝陽市龍城區(qū)文化路五段105 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型公開了一種淺溝槽結(jié)構(gòu)器件溝槽，包括表面氧化劑隔離層和器件基底，所述表面氧化劑隔離層的下方設(shè)有原始氧化層，所述原始氧化層的一側(cè)設(shè)有溝槽氧化制作氧化層，所述器件基底設(shè)置于溝槽氧化制作氧化層的下方。該淺溝槽結(jié)構(gòu)器件溝槽，使器件損傷降低到最小，可明顯減少由損傷引起的器件特性變差，提高產(chǎn)品的可靠性和成品率。?? |
