一種ESD器件結(jié)構(gòu)及其設(shè)計(jì)方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010489344.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN111710669A | 公開(公告)日 | 2020-09-25 |
申請公布號(hào) | CN111710669A | 申請公布日 | 2020-09-25 |
分類號(hào) | H01L25/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李勃緯 | 申請(專利權(quán))人 | 朝陽微電子科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京鼎佳達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 朝陽微電子科技股份有限公司 |
地址 | 122000遼寧省朝陽市龍城區(qū)文化路五段105 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種ESD器件結(jié)構(gòu)及其設(shè)計(jì)方法,包括TVS芯片、小電容導(dǎo)向整流管芯片、金絲和銅合金框架片,所述TVS芯片和小電容導(dǎo)向整流管芯片粘接于銅合金框架片的中央位置,所述TVS芯片和小電容導(dǎo)向整流管芯片與銅合金框架片之間連接有金絲。該ESD器件結(jié)構(gòu)及其設(shè)計(jì)方法,在使用過程中并聯(lián)于電路中,當(dāng)電路正常工作時(shí),它處于截止?fàn)顟B(tài),不影響線路工作,當(dāng)電路出現(xiàn)異常過壓并達(dá)到其擊穿電壓時(shí),它迅速由高阻態(tài)變?yōu)榈妥钁B(tài),給瞬間電流提供低阻抗導(dǎo)通路徑。?? |
