一種發(fā)光二極管器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911015863.5 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN110718622B 公開(公告)日 2020-01-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN110718622B 申請(qǐng)公布日 2020-01-21
分類號(hào) H01L33/62(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫德瑞 申請(qǐng)(專利權(quán))人 朝陽(yáng)微電子科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京鼎佳達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 朝陽(yáng)微電子科技股份有限公司
地址 122000遼寧省朝陽(yáng)市龍城區(qū)文化路五段105
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管器件及其制造方法本發(fā)明的發(fā)光二極管器件在鎳鍍層上形成鎳硅鍍層,該鎳硅鍍層的潤(rùn)濕性較差,可以阻止間隔材料的爬升,保證電連接的可靠性。另外,布線金屬層具有內(nèi)嵌的階梯形狀的側(cè)面,使得所述間隔材料內(nèi)嵌到所述鎳鍍層與散熱基板之間,保證間隔材料填充間隔槽的體積的基礎(chǔ)上,可以實(shí)現(xiàn)防止剝離和進(jìn)一步防止爬升的目的。??