一種小電容導(dǎo)向整流管的制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010489856.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111640670A | 公開（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111640670A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-08 |
| 分類號(hào) | H01L21/329(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 李勃緯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 朝陽微電子科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京鼎佳達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 朝陽微電子科技股份有限公司 |
| 地址 | 122000遼寧省朝陽市龍城區(qū)文化路五段105 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種小電容導(dǎo)向整流管的制造方法，所述制造方法通過高阻外延材料、減少芯片有源區(qū)面積和重金屬摻雜進(jìn)一步減少結(jié)電容，所述制造方法包括以下步驟，硅片清洗、一次氧化、隔離截止環(huán)光刻、隔離區(qū)離子注入、再分布、主結(jié)光刻、磷擴(kuò)散、鉑擴(kuò)散、光刻引線孔、正面金屬化、反刻鋁、PECVD淀積、氮化硅光刻、等離子刻蝕、背面減薄、背面金屬化和芯片貯存。該小電容導(dǎo)向整流管的制造方法，具有面積小，電容小，抗浪涌電流能力強(qiáng)，可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，可以廣泛應(yīng)用于各種環(huán)境和質(zhì)量等級(jí)要求。?? |
