一種二氧化硅/鎳核殼納米結(jié)構(gòu)材料的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911322630.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110935454A 公開（公告）日 2020-03-31
申請公布號 CN110935454A 申請公布日 2020-03-31
分類號 B01J23/755(2006.01)I;B01J13/02(2006.01)I 分類 一般的物理或化學(xué)的方法或裝置;
發(fā)明人 張亞光;杜寧;趙立旸;戎華;蔣經(jīng)緯 申請（專利權(quán)）人 杭州硅諾科技有限公司
代理機構(gòu) 杭州知閑專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 朱朦琪
地址 311200 浙江省杭州市蕭山經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)橋南區(qū)塊鴻興路117號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明方法公開了一種二氧化硅/鎳核殼納米結(jié)構(gòu)材料的制備方法，包括：制備SiO2微球；將SiO2微球分散于水中，與陽離子型聚電解質(zhì)混合，改性后得到帶正電的SiO2微球；將帶正電的SiO2微球分散于水中，與陰離子型聚電解質(zhì)混合，改性后得到帶負電的SiO2微球；將帶負電的SiO2微球、鎳的可溶性鹽、檸檬酸鈉、乳酸與水混合，攪拌均勻后再加入還原劑，經(jīng)還原得到所述的二氧化硅/鎳核殼納米結(jié)構(gòu)材料。本發(fā)明的制備方法，二氧化硅表面無需進行活化處理工藝，工藝簡單、性能可控，且生產(chǎn)周期短、極大地降低了生產(chǎn)能耗，適合于大規(guī)模的工業(yè)化生產(chǎn)。最終制備的產(chǎn)物中，鎳含量和鎳殼的厚度可調(diào)，且鎳鍍層的純度高。??