一種GaNHEMT器件多物理場耦合大信號(hào)模型建立方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201810260358.6 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN108416167B | 公開（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申請公布號(hào) | CN108416167B | 申請公布日 | 2021-08-24 |
| 分類號(hào) | G06F30/3308（2020.01）I | 分類 | 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù); |
| 發(fā)明人 | 陳勇波 | 申請（專利權(quán)）人 | 成都海威華芯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都華風(fēng)專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 徐豐;張巨箭 |
| 地址 | 610029四川省成都市雙流區(qū)中國（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都市雙流區(qū)西南航空港經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)物聯(lián)大道88號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種GaN HEMT器件多物理場耦合大信號(hào)模型建立方法，包括以下步驟：S1：分別建立器件熱參數(shù)、電參數(shù)和應(yīng)力參數(shù)與器件物理參數(shù)的映射關(guān)系；S2：基于物理基大信號(hào)模型建模理論，推導(dǎo)大信號(hào)模型內(nèi)核的解析表達(dá)式；S3：分別將熱?電耦合、熱?力耦合和力?電耦合量化嵌入大信號(hào)模型內(nèi)核中，得到修正后的大信號(hào)模型內(nèi)核；S4：將修正后的大信號(hào)模型內(nèi)核帶入模型等效電路拓?fù)渲?，?gòu)成完整的電?熱?力多物理場耦合大信號(hào)模型。本發(fā)明引入了GaN外延層中應(yīng)力的影響，從而完整描述器件的電?熱?力多物理場耦合效應(yīng)，提升GaN HEMT器件模型精度，并且模型可用于指導(dǎo)新型器件設(shè)計(jì)和工藝改進(jìn)。 |
