一種MEMS濾波器
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110603290.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113321178A | 公開(公告)日 | 2021-08-31 |
申請公布號 | CN113321178A | 申請公布日 | 2021-08-31 |
分類號 | B81B7/02(2006.01)I | 分類 | 微觀結構技術〔7〕; |
發(fā)明人 | 周華芳 | 申請(專利權)人 | 成都海威華芯科技有限公司 |
代理機構 | 成都華風專利事務所(普通合伙) | 代理人 | 張巨箭 |
地址 | 610029四川省成都市雙流區(qū)中國(四川)自由貿(mào)易試驗區(qū)成都市雙流區(qū)西南航空港經(jīng)濟開發(fā)區(qū)物聯(lián)大道88號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種MEMS濾波器,屬于濾波器技術領域,包括襯底;襯底正背面依次生長有隔離層、第一DBR介質膜、犧牲層、第二DBR介質膜;襯底正面設有上電極、下電極,上電極底部與襯底正面的第二DBR介質膜的底層膜接觸,下電極底部與襯底背面的第一DBR介質膜的頂層膜接觸;襯底正面的犧牲層具有空腔,襯底正面的第二DBR介質膜對應所述空腔位置為浮橋區(qū)域。本發(fā)明濾波器為雙面結構能夠保證器件的平整度,解決現(xiàn)有技術單面長膜引起的器件翹曲,同時,本申請浮橋區(qū)域為密封閉環(huán)浮橋,相較于現(xiàn)有鏤空浮橋,提升了結構強度,降低了襯底正面的第二DBR介質膜的破裂風險。 |
