一種MEMS濾波器制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110603324.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113321180A 公開（公告）日 2021-08-31
申請公布號 CN113321180A 申請公布日 2021-08-31
分類號 B81C1/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 周華芳 申請（專利權(quán)）人 成都海威華芯科技有限公司
代理機構(gòu) 成都華風(fēng)專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張巨箭
地址 610029四川省成都市雙流區(qū)中國（四川）自由貿(mào)易試驗區(qū)成都市雙流區(qū)西南航空港經(jīng)濟開發(fā)區(qū)物聯(lián)大道88號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種MEMS濾波器制作方法，屬于MEMS濾波器制作技術(shù)領(lǐng)域，方法包括：在襯底正背面依次生長隔離層、第一DBR介質(zhì)膜、犧牲層和第二DBR介質(zhì)膜；制作襯底正面上電極、下電極，上電極底部與襯底正面的第二DBR介質(zhì)膜的底層膜接觸，下電極底部與襯底正面的第一DBR介質(zhì)膜的頂層膜接觸；釋放襯底正面的中間犧牲層得到具有空腔的犧牲層，空腔位置對應(yīng)的第二DBR介質(zhì)膜為浮橋區(qū)域。本發(fā)明采用雙面結(jié)構(gòu)工藝能夠保證器件的平整度，解決現(xiàn)有技術(shù)單面長膜引起的器件翹曲，同時，本申請浮橋區(qū)域為密封閉環(huán)浮橋，相較于現(xiàn)有鏤空浮橋，提升了結(jié)構(gòu)強度，降低了襯底正面的第二DBR介質(zhì)膜的破裂風(fēng)險。