一種AlGaN/GaNHEMT微波功率器件小信號本征參數(shù)提取方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711321484.X 申請日 -
公開（公告）號 CN108062442B 公開（公告）日 2021-04-06
申請公布號 CN108062442B 申請公布日 2021-04-06
分類號 G06F30/23(2020.01)I 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 陳勇波 申請（專利權）人 成都海威華芯科技有限公司
代理機構 成都華風專利事務所（普通合伙） 代理人 徐豐;張巨箭
地址 610029四川省成都市雙流縣西南航空港經(jīng)濟開發(fā)區(qū)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)園內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種AlGaN/GaN HEMT微波功率器件小信號本征參數(shù)提取方法，包括：S1：采用有限元熱仿真方法，提取GaN HEMT器件非線性熱阻隨器件功耗和尺寸的變化關系式；S2：利用冷態(tài)夾斷偏置條件下的S參數(shù)測試數(shù)據(jù)，提取GaN HEMT器件常溫下的寄生參數(shù)值；S3：利用不同的環(huán)境溫度下器件脈沖I?V的測試數(shù)據(jù)，提取寄生電阻Rs和Rd隨溫度的變化關系式，得到不同偏置條件下的Rs和Rd的值；S4：采用各個偏置條件下S參數(shù)的測試數(shù)據(jù)，寄生參數(shù)剝離，得到本征網(wǎng)絡Y參數(shù)，計算器件小信號等效電路本征參數(shù)值。本方法引入寄生電阻Rs和Rd隨溫度的變化關系式，使得提取的本征參數(shù)值更可信、更具有物理意義。??