一種半導(dǎo)體器件介質(zhì)膜低角度蝕刻方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811043936.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109243971B 公開（公告）日 2021-04-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN109243971B 申請(qǐng)公布日 2021-04-20
分類號(hào) H01L21/02(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周華芳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都海威華芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都華風(fēng)專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 徐豐;張巨箭
地址 610029四川省成都市雙流區(qū)中國（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都市雙流區(qū)西南航空港經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)物聯(lián)大道88號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件介質(zhì)膜低角度蝕刻方法，依次對(duì)器件介質(zhì)膜進(jìn)行光刻、濕法蝕刻、干法蝕刻、去膠、去殘膠及水洗工藝。通過光刻、濕法蝕刻、干法蝕刻、去膠、去殘膠及水洗工藝，降低了二氧化硅或氮化硅的蝕刻角度，即使在薄金屬層沉積情況下也實(shí)現(xiàn)了良好的金屬連接，避免金屬斷層及空洞的出現(xiàn)，不僅大大提高器件的可靠性，也節(jié)約了金屬的用量和成本。??