雙向氣流的硅晶體生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910144540.6 申請日 -
公開（公告）號 CN101713095A 公開（公告）日 2010-05-26
申請公布號 CN101713095A 申請公布日 2010-05-26
分類號 C30B15/00(2006.01)I;C30B27/02(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 馬四海;張笑天 申請（專利權(quán)）人 蕪湖升陽光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 安徽合肥華信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蕪湖升陽光電科技有限公司
地址 241100 安徽省蕪湖縣機(jī)械工業(yè)園朝陽路一號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種雙向氣流的硅晶體生長裝置，包括有爐體，爐體內(nèi)腔中置有筒形的加熱器，加熱器底部的兩個(gè)電極分別嵌入爐體的底部，加熱器內(nèi)腔中設(shè)置有石墨坩堝，石墨坩堝通過穿過爐體底部的連桿支撐固定，爐體的上口擱置有可伸入到石墨坩堝內(nèi)腔中的導(dǎo)流筒，所述的爐體頂部的側(cè)壁上開有排氣口，且底部開有氬氣進(jìn)口，所述的排氣口與氬氣進(jìn)口通過加熱器內(nèi)壁與石墨坩堝外壁之間的空隙聯(lián)通，爐體外套裝有導(dǎo)氣筒，導(dǎo)氣筒的底部側(cè)壁開有出氣口，出氣口與排氣口之間通過所述的導(dǎo)氣筒與爐體之間的空隙聯(lián)通。本發(fā)明采用雙向氣流，可以降低熱場內(nèi)部有害氣體對石墨件的腐蝕，減少了氧與石墨的接觸面積及時(shí)間，使得硅液表面的氧碳化合無及有害氣體在下部氣體的流向帶動(dòng)下迅速帶離熱系統(tǒng)，有效控制了晶體中的碳含量。