一種大直徑硅晶體生長裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN200910033726.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN101906660A | 公開(公告)日 | 2010-12-08 |
申請公布號 | CN101906660A | 申請公布日 | 2010-12-08 |
分類號 | C30B15/14(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 馬四海;張笑天 | 申請(專利權)人 | 蕪湖升陽光電科技有限公司 |
代理機構 | - | 代理人 | - |
地址 | 241100 安徽省蕪湖縣蕪湖機械工業(yè)園 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種大直徑硅晶體生長裝置,包括保溫系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、導流系統(tǒng)及支撐裝置,所述的保溫系統(tǒng)上部設有保溫蓋板及爐底保溫結構,所述的保溫蓋板采用雙層結構,即互相疊合的上保溫蓋板(1)和下保溫蓋(2),在所述的上保溫蓋板(1)和下保溫蓋(2)之間的空隙部分,填充石墨碳氈。采用上述技術方案,可用來拉制8寸及8寸以上硅單晶,相對于現(xiàn)有技術,在節(jié)能降耗及惰性氣體的導向上更具優(yōu)勢,增加了保溫系統(tǒng)的保溫效果,降低熱輻射散熱,改變熔體內溫度梯度,降低橫向溫度梯度變化,使得熔體液面溫度相對穩(wěn)定,有利于硅單晶的生長;改善氣流導向裝置,避免出現(xiàn)氣體紊流。 |
