一種單晶硅結(jié)晶生長裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910184959.4 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN102041549A 公開（公告）日 2011-05-04
申請公布號(hào) CN102041549A 申請公布日 2011-05-04
分類號(hào) C30B15/00(2006.01)I;C30B15/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 馬四海;張笑天 申請（專利權(quán)）人 蕪湖升陽光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 241100 安徽省蕪湖縣蕪湖機(jī)械工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種單晶硅結(jié)晶生長裝置，包括保溫系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、導(dǎo)流系統(tǒng)及支撐裝置，所述的導(dǎo)流系統(tǒng)采用雙向氣流結(jié)構(gòu)，所述的雙向氣流結(jié)構(gòu)包括熱屏(3)、上部排氣套筒(1)和下部氬氣出口(2)。采用上述技術(shù)方案，迅速帶走硅液表面的有害氣體，加速SiO及氧碳化合物的蒸發(fā)，使得進(jìn)入固液界面的氧的含量大大降低；雙向氣流的采用，改變了普通熱場的氣體流向，可以降低熱場內(nèi)部有害氣體對石墨件的腐蝕，減少了氧與石墨的接觸面積及時(shí)間，使得硅液表面的氧碳化合物及有害氣體在下部氣體的流向帶動(dòng)下迅速帶離熱系統(tǒng)，有效控制了晶體中的碳含量；降低了雜質(zhì)粒子進(jìn)入固液界面的幾率，從而大大提升了晶體的成晶率。