一種硅基薄膜太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)及加工工藝
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201310668089.4 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN104701397A | 公開(公告)日 | 2015-06-10 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN104701397A | 申請(qǐng)公布日 | 2015-06-10 |
分類號(hào) | H01L31/0463(2014.01)I;H01L31/0465(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 解欣業(yè);王偉;吳軍;史國(guó)華;李強(qiáng);初寧寧;呂忠明;鄧晶 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 威海中玻新材料技術(shù)研發(fā)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 威海科星專利事務(wù)所 | 代理人 | 于濤 |
地址 | 264200 山東省威海市環(huán)翠區(qū)環(huán)山路9號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種硅基薄膜太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu),其特征在于沿基板長(zhǎng)度方向由分割線均勻分成至少兩個(gè)外部并聯(lián)的子電池,沿基板寬度方向由設(shè)置在透明導(dǎo)電前電極層設(shè)有刻劃P1,沉積硅基薄膜層設(shè)有刻劃P2,濺射背電極層設(shè)有刻劃P3,刻劃P1、P2、P3依次設(shè)置,本發(fā)明的關(guān)鍵在于根據(jù)PECVD設(shè)備沉積膜層的實(shí)際情況,按照最佳節(jié)寬度公式制作刻劃P1、刻劃P2和刻劃P3,優(yōu)化了最佳電池條寬度,長(zhǎng)度方向分割電池,通過(guò)簡(jiǎn)單的方法將它們相并聯(lián),將大面積沉積硅基薄膜層厚度的不均勻性,以及短路點(diǎn)對(duì)電池性能的影響降到最低,使硅基薄膜電池在合適輸出電壓下,同時(shí)有最佳的輸出電流,通過(guò)簡(jiǎn)單有效的方法充分發(fā)揮了大面硅基薄膜電池本身的潛能。 |
