一種硅基薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu)及加工工藝
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201310668089.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN104701397B | 公開(公告)日 | 2018-11-09 |
申請公布號 | CN104701397B | 申請公布日 | 2018-11-09 |
分類號 | H01L31/0463;H01L31/0465;H01L31/18 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 解欣業(yè);王偉;吳軍;史國華;李強;初寧寧;呂忠明;鄧晶 | 申請(專利權(quán))人 | 威海中玻新材料技術(shù)研發(fā)有限公司 |
代理機構(gòu) | 威海科星專利事務(wù)所 | 代理人 | 威海中玻新材料技術(shù)研發(fā)有限公司 |
地址 | 264200 山東省威海臨港經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)草廟子鎮(zhèn)棋山路-516-39號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種硅基薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu),其特征在于沿基板長度方向由分割線均勻分成至少兩個外部并聯(lián)的子電池,沿基板寬度方向由設(shè)置在透明導(dǎo)電前電極層設(shè)有刻劃P1,沉積硅基薄膜層設(shè)有刻劃P2,濺射背電極層設(shè)有刻劃P3,刻劃P1、P2、P3依次設(shè)置,本發(fā)明的關(guān)鍵在于根據(jù)PECVD設(shè)備沉積膜層的實際情況,按照最佳節(jié)寬度公式制作刻劃P1、刻劃P2和刻劃P3,優(yōu)化了最佳電池條寬度,長度方向分割電池,通過簡單的方法將它們相并聯(lián),將大面積沉積硅基薄膜層厚度的不均勻性,以及短路點對電池性能的影響降到最低,使硅基薄膜電池在合適輸出電壓下,同時有最佳的輸出電流,通過簡單有效的方法充分發(fā)揮了大面硅基薄膜電池本身的潛能。 |
