一種大尺寸濺射硅靶材

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510193687.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104862655A 公開(kāi)（公告）日 2015-08-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN104862655A 申請(qǐng)公布日 2015-08-26
分類號(hào) C23C14/34(2006.01)I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 周斌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇瑞雪電子材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 南京帝優(yōu)新材料科技有限公司;江蘇瑞雪電子材料有限公司
地址 江蘇省南京市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)興科路12號(hào)305室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種大尺寸濺射硅靶材，所述的硅靶材為圓形靶材，直徑為300—500毫米，所述的硅靶材由三層結(jié)構(gòu)組成：硅靶層、鉬背靶層及位于硅靶層和鉬背靶層中間的焊接層，所述的硅靶層的成分為高純多晶硅或單晶硅，所述的鉬背靶層的成分為高純鉬，所述的焊接層的成分為金屬銦。本發(fā)明具有如下技術(shù)效果：1）表面粗糙度低，不超過(guò)當(dāng)前通用產(chǎn)品Ra值的1/2；2）焊接結(jié)合率高，大于96.5%，超過(guò)95%工業(yè)水平；3）采用新型背靶材料，使靶材與背靶的導(dǎo)熱系數(shù)接近，避免因受熱不均導(dǎo)致的靶材變形等問(wèn)題；4）背靶使用壽命高，比現(xiàn)通用產(chǎn)品使用壽命提高一倍以上；5）靶材的晶粒度控制佳，平均晶粒度可控制在100μm以下，遠(yuǎn)低于當(dāng)前200μm的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。