半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202123382749.1 申請日 -
公開（公告）號 CN216980572U 公開（公告）日 2022-07-15
申請公布號 CN216980572U 申請公布日 2022-07-15
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李浩南;張永杰;周永昌;黃曉輝;董琪琪 申請（專利權(quán)）人 飛锃半導(dǎo)體（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市一法律師事務(wù)所 代理人 -
地址 201306上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)環(huán)湖西二路888號C樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底，所述襯底上包括第一外延層，且部分所述第一外延層上包括第二外延層；阱保護(hù)層，分立的自所述第一外延層的表面向所述第一外延層中延伸并在寬度方向延伸至所述第二外延層的下方；阱接觸層，與所述阱保護(hù)層的摻雜類型相同，并自所述阱保護(hù)層的表面向所述阱保護(hù)層中延伸且側(cè)壁和底部被所述阱保護(hù)層圍繞；金屬層，位于所述阱接觸層的表面以及所述第二外延層的側(cè)壁和表面。本申請的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠降低器件的表面電場、增大正向電流，并提高器件的可靠性。