SiCMOSFET的輔助關(guān)斷電路及方法、驅(qū)動(dòng)電路
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210499635.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114710011A | 公開（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114710011A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-05 |
| 分類號(hào) | H02M1/08（2006.01）I;H02H7/12（2006.01）I;H02H3/20（2006.01）I;H03K17/082（2006.01）I;H03K17/687（2006.01）I | 分類 | 發(fā)電、變電或配電; |
| 發(fā)明人 | 趙鳳儉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 飛锃半導(dǎo)體（上海）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京市一法律師事務(wù)所 | 代理人 | - |
| 地址 | 201306上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)環(huán)湖西二路888號(hào)C樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)技術(shù)方案提供一種SiC MOSFET的輔助關(guān)斷電路及方法、驅(qū)動(dòng)電路，其中所述輔助關(guān)斷電路包括：輸出側(cè)邏輯控制模塊，用于接收所述SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)并輸出；輸出級(jí)功率放大電路，與所述輸出側(cè)邏輯控制模塊電連接，并被配置為對(duì)所述驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)進(jìn)行放大，并輸出至所述SiC MOSFET；分段關(guān)斷模塊，與所述輸出級(jí)功率放大電路、所述輸出側(cè)邏輯控制模塊以及所述SiC MOSFET管的柵極電連接，且所述分段關(guān)斷模塊被配置為在所述SiC MOSFET關(guān)斷的過程中等效電阻值呈增大的趨勢(shì)。本申請(qǐng)技術(shù)方案的輔助關(guān)斷電路可以解決驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻無(wú)法平衡關(guān)斷過電壓和關(guān)斷損耗問題。 |
