半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202122051938.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN216054719U 公開（公告）日 2022-03-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN216054719U 申請(qǐng)公布日 2022-03-15
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李浩南;張永杰;周永昌;黃曉輝;董琪琪 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 飛锃半導(dǎo)體（上海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市一法律師事務(wù)所 代理人 樊文娜;劉榮娟
地址 201306上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)環(huán)湖西二路888號(hào)C樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)技術(shù)方案提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)位于器件區(qū)外側(cè)的邊緣區(qū)，包括：半導(dǎo)體襯底及位于所述半導(dǎo)體襯底上的外延層；絕緣層，自所述外延層的部分表面延伸至所述外延層中；保護(hù)層，位于所述絕緣層與所述外延層之間，且與所述外延層的摻雜類型不同；過渡層，自所述絕緣層一側(cè)的外延層表面延伸至所述外延層中，且所述過渡層與所述保護(hù)層的摻雜類型相同；場氧化層，位于所述絕緣層以及所述絕緣層另一側(cè)的保護(hù)層和外延層的表面；金屬場板，位于所述過渡層和部分所述場氧化層上，且所述金屬場板連接所述器件區(qū)的器件結(jié)構(gòu)。本申請(qǐng)技術(shù)方案的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠大幅度提高邊緣區(qū)終端結(jié)構(gòu)的擊穿電壓。