半導體結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122747597.4 申請日 -
公開（公告）號 CN216450645U 公開（公告）日 2022-05-06
申請公布號 CN216450645U 申請公布日 2022-05-06
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張永杰;李浩南;周永昌;黃曉輝;董琪琪 申請（專利權）人 飛锃半導體（上海）有限公司
代理機構 北京市一法律師事務所 代理人 樊文娜;劉榮娟
地址 201306上海市浦東新區(qū)自由貿易試驗區(qū)臨港新片區(qū)環(huán)湖西二路888號C樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請技術方案提供一種半導體結構，其中所述半導體結構包括：襯底，所述襯底包括第一外延層；摻雜柱，分立的位于所述第一外延層中；第一JFET區(qū)，位于部分所述摻雜柱上；第二JFET區(qū)，位于相鄰所述摻雜柱之間的部分所述第一外延層上；阱區(qū)，位于所述第一JFET區(qū)和所述第二JFET區(qū)上；源區(qū)，自所述阱區(qū)表面延伸至所述阱區(qū)中；摻雜區(qū)，位于相鄰所述源區(qū)之間且延伸至所述摻雜柱的表面；柵極結構，位于所述源區(qū)和所述阱區(qū)中并延伸至所述第一JFET區(qū)和所述第二JFET區(qū)之間，且所述柵極結構的整個或部分底部與所述摻雜柱鄰接。本申請技術方案可以降低柵極結構底部的電場，減少柵漏電荷以及降低襯底電阻。