一種光柵結(jié)構(gòu)的硅基全硅表面吸收探測(cè)器及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010997856.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112201707B | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112201707B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/105;H01L31/18 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 崔積適;王娟;崔文靜;陳洪敏 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 三明學(xué)院 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廈門(mén)智慧呈睿知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 楊唯 |
| 地址 | 365000 福建省三明市三元區(qū)荊東路25號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種光柵結(jié)構(gòu)的硅基全硅表面吸收探測(cè)器，包括：襯底層，所述襯底層是SOI；硅光波導(dǎo)層，形成于所述襯底層上；光柵層，形成與所述襯底層上，并與所述硅光波導(dǎo)層耦合連接；其中，所述光柵層包括本征區(qū)以及位于所述本征區(qū)兩側(cè)的P型區(qū)和N型區(qū)；電極，包括陽(yáng)極和陰極；其中，所述陽(yáng)極設(shè)置于所述N型區(qū)，所述陰極設(shè)置于所述P型區(qū)。本發(fā)明通過(guò)表面光柵結(jié)構(gòu)較直波導(dǎo)結(jié)構(gòu)增加了表面區(qū)域，從而有效增加了吸收面積，進(jìn)而提高了響應(yīng)度；光柵結(jié)構(gòu)形成諧振腔，使光能量較好的限制在光柵結(jié)構(gòu)內(nèi)部，被多次吸收。 |
