一種光柵結(jié)構(gòu)的硅基全硅表面吸收探測器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010997856.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112201707A 公開（公告）日 2021-01-08
申請公布號 CN112201707A 申請公布日 2021-01-08
分類號 H01L31/0232(2014.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 崔積適;王娟;崔文靜;陳洪敏 申請（專利權(quán)）人 三明學(xué)院
代理機(jī)構(gòu) 廈門智慧呈睿知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 三明學(xué)院
地址 365000福建省三明市三元區(qū)荊東路25號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種光柵結(jié)構(gòu)的硅基全硅表面吸收探測器，包括：襯底層，所述襯底層是SOI；硅光波導(dǎo)層，形成于所述襯底層上；光柵層，形成與所述襯底層上，并與所述硅光波導(dǎo)層耦合連接；其中，所述光柵層包括本征區(qū)以及位于所述本征區(qū)兩側(cè)的P型區(qū)和N型區(qū)；電極，包括陽極和陰極；其中，所述陽極設(shè)置于所述N型區(qū)，所述陰極設(shè)置于所述P型區(qū)。本發(fā)明通過表面光柵結(jié)構(gòu)較直波導(dǎo)結(jié)構(gòu)增加了表面區(qū)域，從而有效增加了吸收面積，進(jìn)而提高了響應(yīng)度；光柵結(jié)構(gòu)形成諧振腔，使光能量較好的限制在光柵結(jié)構(gòu)內(nèi)部，被多次吸收。??