一種磁電阻薄膜結(jié)構(gòu)和磁電阻傳感器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121291474.8 申請日 -
公開（公告）號 CN215641767U 公開（公告）日 2022-01-25
申請公布號 CN215641767U 申請公布日 2022-01-25
分類號 G01R33/09（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 薛松生;沈衛(wèi)鋒;郭海平;宋晨 申請（專利權(quán)）人 江蘇多維科技有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 215634江蘇省蘇州市張家港市保稅區(qū)廣東路7號E棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型實施例公開了一種磁電阻薄膜結(jié)構(gòu)和磁電阻傳感器，該磁電阻薄膜結(jié)構(gòu)包括：依次層疊設(shè)置的基底、種子層、參考層、間隔層、自由層和電極層；參考層在種子層上生長，且參考層的磁矩方向受到通入種子層內(nèi)電流產(chǎn)生的自旋注入被釘扎；自由層的磁矩方向隨外部磁場的變化而變化。本實用新型實施例中，參考層生長在種子層上，電流通入種子層后會使種子層產(chǎn)生自旋流且該自旋流可注入相鄰參考層，使得參考層的磁矩方向受到通入種子層內(nèi)電流產(chǎn)生的自旋注入影響而改變并釘扎。無需外部設(shè)備輔助即可精確控制參考層的釘扎方向，能夠更加便捷的實現(xiàn)參考層的多角度釘扎，設(shè)計工藝簡單且成本低廉，更具競爭力和市場前景。