晶圓、半導(dǎo)體元件及半導(dǎo)體元件處理方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110839455.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113809149A 公開(kāi)（公告）日 2021-12-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN113809149A 申請(qǐng)公布日 2021-12-17
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉東棟;張潔 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海弼興律師事務(wù)所 代理人 楊東明;林嵩
地址 200233上海市徐匯區(qū)虹漕路385號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種晶圓、半導(dǎo)體元件及半導(dǎo)體元件處理方法，所述晶圓包括本體部和側(cè)結(jié)構(gòu)；所述側(cè)結(jié)構(gòu)位于所述本體部的兩端；所述側(cè)結(jié)構(gòu)包括第一倒角部、第二倒角部和側(cè)邊緣；所述第一倒角部和所述本體部的第一表面連接；所述第二倒角部和所述本體部的第二表面連接；所述第一倒角部和所述第二倒角部在遠(yuǎn)離所述本體部的一側(cè)的連接部形成所述側(cè)邊緣；所述側(cè)邊緣上任一點(diǎn)的曲率大于第一預(yù)設(shè)值；所述側(cè)結(jié)構(gòu)的第一幅長(zhǎng)小于所述側(cè)結(jié)構(gòu)的第二幅長(zhǎng)。本發(fā)明通過(guò)對(duì)晶圓的側(cè)結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，大幅減小了晶圓生長(zhǎng)外延層后產(chǎn)生的突角，從而避免了晶圓在生產(chǎn)運(yùn)輸過(guò)程中由于尖銳的突角導(dǎo)致晶圓碎片，改善了晶圓生產(chǎn)質(zhì)量，使之能在確保良率的前提下投入大幅量產(chǎn)。