半導(dǎo)體器件及其鋁膜的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010326225.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113549875A | 公開(公告)日 | 2021-10-26 |
申請公布號(hào) | CN113549875A | 申請公布日 | 2021-10-26 |
分類號(hào) | C23C14/16(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 歸劍;王海紅 | 申請(專利權(quán))人 | 上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海弼興律師事務(wù)所 | 代理人 | 薛琦;張冉 |
地址 | 200233上海市徐匯區(qū)虹漕路385號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了半導(dǎo)體器件及其鋁膜的制備方法,制備方法包括:提供一晶圓;對(duì)所述晶圓進(jìn)行預(yù)設(shè)時(shí)間段的預(yù)加熱,以將所述晶圓的工藝溫度達(dá)到預(yù)設(shè)溫度;對(duì)預(yù)加熱后的所述晶圓進(jìn)行濺射工藝;以及,在所述晶圓上進(jìn)行淀積,以形成所述鋁膜。本發(fā)明有效地提升了厚鋁工藝中控制工藝溫度的穩(wěn)定性,極大地減少了霧面殘?jiān)热毕?,從而極大地提升了半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的良率。 |
