IGBT及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810967106.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN110858609B 公開（公告）日 2021-11-05
申請公布號(hào) CN110858609B 申請公布日 2021-11-05
分類號(hào) H01L29/739（2006.01）I;H01L29/167（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王學(xué)良;劉建華;郎金榮;閔亞能 申請（專利權(quán)）人 上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海弼興律師事務(wù)所 代理人 薛琦;秦晶晶
地址 200233 上海市徐匯區(qū)虹漕路385號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種IGBT及其制造方法，其中，所述IGBT中的目標(biāo)區(qū)域摻雜有第一離子，其中，所述目標(biāo)區(qū)域包括P型襯底、P型阱區(qū)、P型源區(qū)中的至少一種，所述第一離子的擴(kuò)散系數(shù)大于硼離子的擴(kuò)散系數(shù)。本發(fā)明中IGBT目標(biāo)區(qū)域所摻雜的第一例子的擴(kuò)散系數(shù)大于硼離子的擴(kuò)散系數(shù)，不似現(xiàn)有技術(shù)中采用硼離子作為摻雜雜質(zhì)，從而在相同條件下形成的雜質(zhì)分布形貌更為漸變，也即形成的PN結(jié)為漸變結(jié)，進(jìn)而提高了擊穿電壓、縮短了關(guān)斷時(shí)間、提升了抗閂鎖能力，進(jìn)一步改良了IGBT的性能。此外，由于本發(fā)明的雜質(zhì)擴(kuò)散系數(shù)較大，從而能夠在較低溫度、較短時(shí)間內(nèi)形成更寬、更深的PN結(jié)，具有一定的成本優(yōu)勢。