高耐壓大電流增益的襯底PNP晶體管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910486427.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112053952B 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN112053952B 申請公布日 2022-02-11
分類號 H01L21/331（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I;H01L29/73（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 方園;張潔 申請（專利權）人 上海先進半導體制造有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 200233 上海市徐匯區(qū)虹漕路385號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高耐壓大電流增益的襯底PNP晶體管及其制造方法，包括：制備P型襯底；P型襯底上表面生長N型外延層；N型外延層上表面注入硼離子并推進形成集電極下隔離區(qū)；N型外延層上表面注入硼離子并推進形成集電極上隔離區(qū)，集電極上、下隔離區(qū)上下連接在一起；N型外延層上表面注入硼離子并推進20±10％分鐘，形成發(fā)射極內(nèi)圓區(qū)；N型外延層上表面注入硼離子并推進形成發(fā)射極區(qū)域。本發(fā)明通過發(fā)射極內(nèi)圓區(qū)20±10％分鐘的爐管熱預算對發(fā)射極區(qū)域的注入及推進進行預先增強，提高了發(fā)射極區(qū)域的空穴載流子發(fā)射效率，同時未減小發(fā)射極區(qū)域至P型襯底間的有效N型外延尺寸，實現(xiàn)了該晶體管同時具備大電流增益與高耐壓能力。