紅外焦平面探測(cè)器及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710600470.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108987523A 公開(kāi)（公告）日 2018-12-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN108987523A 申請(qǐng)公布日 2018-12-11
分類(lèi)號(hào) H01L31/103;H01L31/18;H01L27/144 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 白謝暉 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京英孚雷德光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清源匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 北京弘芯科技有限公司;北京英孚雷德光電科技有限公司
地址 100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)榮昌東街甲5號(hào)3號(hào)樓401-2
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種紅外焦平面探測(cè)器，其包括硅片襯底、復(fù)數(shù)個(gè)紅外探測(cè)單元構(gòu)成的紅外探測(cè)器陣列、硅讀出電路、以及復(fù)數(shù)個(gè)銦柱；紅外探測(cè)器陣列設(shè)置于所述硅片襯底的其中一側(cè)；復(fù)數(shù)個(gè)銦柱設(shè)置于紅外探測(cè)器陣列和硅讀出電路之間，將紅外探測(cè)器陣列的每一紅外探測(cè)單元和硅讀出電路相連。本發(fā)明還提供一種紅外焦平面探測(cè)器的制備方法。本發(fā)明的紅外焦平面探測(cè)器不僅解決了現(xiàn)有的紅外焦平面探測(cè)器由于紅外探測(cè)器陣列和硅讀出電路兩部分的材料不同導(dǎo)致熱膨脹系數(shù)不同引起的紅外焦平面探測(cè)器使用壽命短，使用成本高的問(wèn)題，而且其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易實(shí)現(xiàn)，制造成本低，且減少了對(duì)入射的紅外輻射的反射和吸收，提高了進(jìn)光量。