一種LED芯片及其制作方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110200475.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112951964B | 公開(公告)日 | 2022-07-15 |
申請公布號 | CN112951964B | 申請公布日 | 2022-07-15 |
分類號 | H01L33/36(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 王銳;鄔新根;周弘毅;劉英策;李健 | 申請(專利權(quán))人 | 廈門乾照光電股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
地址 | 361100福建省廈門市火炬高新區(qū)(翔安)產(chǎn)業(yè)區(qū)翔天路259-269號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請實(shí)施例公開了一種LED芯片及其制作方法,該LED芯片包括:位于所述襯底上的P型金屬電極和N型金屬電極;所述P型金屬電極包括第一電極層、第一金層、第一鋁層以及第一合金層;所述N型金屬電極包括第二電極層、第二金層、第二鋁層以及第二合金層;其中,所述第一合金層和所述第二合金層均為金?鋁合金層。已知金屬鋁和金?鋁合金均具有很好的抗腐蝕能力,因此位于第一金層上的第一合金層和第一鋁層以及位于第二金層上的第二合金層和第二鋁層能夠避免第一金層和第二金層在鹽霧環(huán)境中發(fā)生電化學(xué)腐蝕,進(jìn)而避免由于所述第一金層和所述第二金層發(fā)生電化學(xué)腐蝕而破壞所述第一金層和所述第二金層上的布線,導(dǎo)致LED芯片失效。 |
