一種復(fù)合導(dǎo)電薄膜的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110075647.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112885718B 公開（公告）日 2022-07-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN112885718B 申請(qǐng)公布日 2022-07-05
分類號(hào) H01L21/285（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉偉;鄔新根;林鋒杰;劉英策;張阿茵 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門乾照光電股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 361100福建省廈門市火炬高新區(qū)（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)翔天路259-269號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了一種復(fù)合導(dǎo)電薄膜的制備方法，該方法采用反應(yīng)等離子沉積工藝制備第一歐姆接觸層、第一功能層、電流傳導(dǎo)層、第二功能層和第二歐姆接觸層，避免了傳統(tǒng)的真空蒸發(fā)和磁控濺射等工藝制備的薄膜的累積應(yīng)力較大的問題，也避免了對(duì)基板造成損傷的情況，同時(shí)在制備第一功能層時(shí)，通入的第一預(yù)設(shè)氣體流量隨時(shí)間遞增，以減小膜層生長應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)制備低應(yīng)力薄膜的目的，同樣的在制備第二功能層時(shí)，通入的第二預(yù)設(shè)氣體流量隨時(shí)間增加而降低，以降低膜層生長應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)制備低應(yīng)力薄膜的目的，結(jié)合特定的第一歐姆接觸層、第一功能層、電流傳導(dǎo)層、第二功能層和第二歐姆接觸層堆疊結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)制備低阻值、高穿透率和高穩(wěn)定性的透明導(dǎo)電薄膜的目的。