一種深紫外LED及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110172071.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112951961B 公開（公告）日 2022-07-12
申請公布號 CN112951961B 申請公布日 2022-07-12
分類號 H01L33/14（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 霍麗艷;滕龍;吳洪浩;周瑜;劉兆 申請（專利權(quán)）人 廈門乾照光電股份有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 361000 福建省廈門市火炬（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)翔天路259-269號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種深紫外LED及其制作方法，所述深紫外LED包括：襯底；依次設(shè)置在所述襯底一側(cè)的N型半導(dǎo)體層、多量子阱層、電子阻擋層和P型半導(dǎo)體層；其中，所述電子阻擋層為稀磁材料的電子阻擋層。該稀磁材料的電子阻擋層能夠在阻擋電子的同時，對空穴的注入也起到正向的作用，提高電子和空穴的空間波函數(shù)交疊，進而提高深紫外LED的發(fā)光效率。