一種多晶PECVD鍍膜均勻性優(yōu)化的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011450538.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112760614A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112760614A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-07 |
| 分類號(hào) | H01L31/18(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;C23C16/505(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 王菲;聶文君;張偉;王路路;賈慧君;李文敏 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 晉能清潔能源科技股份公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京慕達(dá)星云知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 孫光遠(yuǎn) |
| 地址 | 033000山西省呂梁市文水縣經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)1號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種多晶PECVD鍍膜均勻性優(yōu)化的方法，屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域。包括以下步驟：預(yù)沉積：采用PECVD鍍膜設(shè)備，在一定的壓力和功率下，通入NH3氣體，經(jīng)沉積得鍍膜A；沉積第一層SiNx層：在一定的壓力和功率下，分別向鍍膜A通入SiH4和NH3氣體，經(jīng)沉積得鍍膜B；沉積第二層SiNx層：在一定的壓力和功率下，分別向鍍膜B通入SiH4和NH3氣體，經(jīng)沉積得多晶PECVD鍍膜。本發(fā)明在常規(guī)PECVD設(shè)備的基礎(chǔ)上，沉積SiNx減反射膜，通過(guò)控制兩層膜的厚度與折射率，提高對(duì)光吸收，利用SiNx物理穩(wěn)定性，減少光學(xué)損失，提高電池效率，優(yōu)化電池片成品顏色，且本發(fā)明不增加生產(chǎn)成本，易于實(shí)現(xiàn)。?? |
