基于氮化物的半導(dǎo)體裝置和其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202180004254.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114207818A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114207818A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L27/07（2006.01）I;H01L21/8248（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何清源;郝榮暉;陳扶;章晉漢;黃敬源 申請（專利權(quán)）人 英諾賽科（蘇州）科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳宜保知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王琴;曹玉存
地址 215211江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新開發(fā)區(qū)新黎路98號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種基于氮化物的半導(dǎo)體裝置包含第一基于氮化物的半導(dǎo)體層、第二基于氮化物的半導(dǎo)體層、第一基于氮化物的晶體管和第二基于氮化物的晶體管。所述第一基于氮化物的晶體管應(yīng)用2DEG區(qū)域作為其溝道并且包括第一漏電極，所述第一漏電極與所述第二基于氮化物的半導(dǎo)體層接觸以與所述第二基于氮化物的半導(dǎo)體層形成第一肖特基二極管。所述第二基于氮化物的晶體管應(yīng)用所述2DEG區(qū)域作為其溝道并且包含第二漏電極，所述第二漏電極與所述第二基于氮化物的半導(dǎo)體層接觸以與所述第二基于氮化物的半導(dǎo)體層形成第二肖特基二極管，使得所述第一肖特基二極管和所述第二肖特基二極管連接到同一節(jié)點。