氮化物基半導(dǎo)體裝置及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202180004637.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114175268A 公開（公告）日 2022-03-11
申請公布號 CN114175268A 申請公布日 2022-03-11
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何川;蒲小慶;郝榮暉;章晉漢;黃敬源 申請（專利權(quán)）人 英諾賽科（蘇州）科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳宜保知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王琴;曹玉存
地址 215211江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新開發(fā)區(qū)新黎路98號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種氮化物基半導(dǎo)體裝置包含第一氮化物基半導(dǎo)體層和第二氮化物基半導(dǎo)體層、摻雜III?V半導(dǎo)體層、柵極、源極電極和漏極電極。所述摻雜III?V半導(dǎo)體層安置于所述第二氮化物基半導(dǎo)體層之上，且具有相對的第一側(cè)壁，所述第一側(cè)壁朝向所述摻雜III?V半導(dǎo)體層的在側(cè)壁之間的主體向內(nèi)凹陷，以形成位于所述摻雜III?V半導(dǎo)體層的底部處的彎曲輪廓。所述柵極電極安置于所述摻雜III?V半導(dǎo)體層上方。所述源極電極和所述漏極電極安置于所述第二氮化物基半導(dǎo)體層上方。所述柵極電極位于所述源極電極與所述漏極電極之間。