半導(dǎo)體器件和其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202180004467.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114175273A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN114175273A 申請(qǐng)公布日 2022-03-11
分類號(hào) H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何川;郝榮暉;黃敬源 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 英諾賽科（蘇州）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳宜保知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王琴;曹玉存
地址 215211江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新開(kāi)發(fā)區(qū)新黎路98號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種氮化物基半導(dǎo)體電路包括氮化物基半導(dǎo)體載體、第一氮化物基半導(dǎo)體層、第二氮化物基半導(dǎo)體層、連接器、連接線和電源線。第一氮化物基半導(dǎo)體層配置在氮化物基半導(dǎo)體載體上方。第二氮化物基半導(dǎo)體層配置在第一氮化物基半導(dǎo)體層上。連接器配置在第二氮化物基半導(dǎo)體層上。連接線電連接到連接器中的一個(gè)。電源線電到氮化物基半導(dǎo)體載體。異質(zhì)結(jié)形成于第一氮化物基半導(dǎo)體層與第二氮化物基半導(dǎo)體層之間。電勢(shì)差施加在電源線與連接線之間。