氮基半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202180003499.X 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN114207837A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號(hào) CN114207837A 申請公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01L29/417（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何清源;郝榮暉;陳扶;章晉漢;黃敬源 申請（專利權(quán)）人 英諾賽科（蘇州）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳宜保知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王琴;曹玉存
地址 215211江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新開發(fā)區(qū)新黎路98號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種氮基半導(dǎo)體器件，包括第一和第二氮基半導(dǎo)體層、源極電極、柵極電極和漏極結(jié)構(gòu)。漏極結(jié)構(gòu)包括第一摻雜的氮基半導(dǎo)體層、歐姆接觸電極和導(dǎo)電層。第一摻雜的氮基半導(dǎo)體層與第二氮基半導(dǎo)體層接觸以形成第一接觸界面。歐姆接觸電極與第二氮基半導(dǎo)體層接觸以形成第二接觸界面。導(dǎo)電層包括金屬并與第二氮基半導(dǎo)體層接觸以在其間形成金屬?半導(dǎo)體接面。導(dǎo)電層連接第一摻雜的氮基半導(dǎo)體層和歐姆接觸電極，并且歐姆接觸界面比第一接觸界面和第二接觸界面離柵極電極更遠(yuǎn)。