氮化物基半導(dǎo)體裝置及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202180003944.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114207840A 公開（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114207840A 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01L29/778（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 何川;蒲小慶;郝榮暉;黃敬源 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 英諾賽科（蘇州）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳宜保知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王琴;曹玉存
地址 215211江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新開發(fā)區(qū)新黎路98號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種氮化物基半導(dǎo)體裝置包含第一氮化物基半導(dǎo)體層、第二氮化物基半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、柵電極和第三氮化物基半導(dǎo)體層。所述第一氮化物基半導(dǎo)體層具有至少一個(gè)溝槽。所述第二氮化物基半導(dǎo)體層安置在所述第一氮化物基半導(dǎo)體層上且與所述溝槽間隔開。所述源電極和所述漏電極安置在所述第二氮化物基半導(dǎo)體層上方。所述柵電極安置在所述第二氮化物基半導(dǎo)體層上方及所述源電極和漏電極之間，以便至少限定在所述柵電極和所述漏電極之間且與所述溝槽重疊的漂移區(qū)。所述第三氮化物基半導(dǎo)體層至少安置在所述溝槽中，并且從所述溝槽向上延伸以與所述第二氮化物基半導(dǎo)體層接觸。