氮化物基半導(dǎo)體裝置以及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202180004419.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114207833A 公開（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114207833A 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周以倫;高雙;李傳綱 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 英諾賽科（蘇州）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳宜保知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王琴;曹玉存
地址 215211江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新開發(fā)區(qū)新黎路98號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 氮化物基半導(dǎo)體裝置包含第一氮化物基半導(dǎo)體層、單個(gè)III?V族半導(dǎo)體層、第三氮化物基半導(dǎo)體層、第一源極電極和第二電極，以及柵極電極。所述第二氮化物基半導(dǎo)體層安置在所述第一氮化物基半導(dǎo)體層上方。所述單個(gè)III?V族半導(dǎo)體層安置在所述第一和第二氮化物基半導(dǎo)體層之間且摻雜到所述第一導(dǎo)電類型。所述單個(gè)III?V族半導(dǎo)體層具有高電阻率區(qū)以及由所述高電阻率區(qū)包圍的電流孔，其中所述高電阻率區(qū)包括比所述電流孔更多的金屬氧化物，以便實(shí)現(xiàn)比所述電流孔的電阻率高的電阻率。所述第三氮化物基半導(dǎo)體層安置在所述第二氮化物基半導(dǎo)體層上方。所述第一源極電極、所述第二電極和所述柵極電極安置在所述第三氮化物基半導(dǎo)體層上方。