氮化物基半導(dǎo)體裝置以及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202180004172.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114175269A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN114175269A 申請(qǐng)公布日 2022-03-11
分類號(hào) H01L29/40（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張昕;盛健健;呂俊源;李臻哲 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 英諾賽科（蘇州）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳宜保知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王琴;曹玉存
地址 215211江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新開(kāi)發(fā)區(qū)新黎路98號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 氮化物基半導(dǎo)體裝置包含第一氮化物基半導(dǎo)體層、第二氮化物基半導(dǎo)體層、源極電極和漏極電極、柵極結(jié)構(gòu)、第一場(chǎng)板和第二場(chǎng)板。所述第二氮化物基半導(dǎo)體層安置在所述第一氮化物基半導(dǎo)體層上。所述源極電極和所述漏極電極安置在所述第二氮化物基半導(dǎo)體層上方。所述柵極結(jié)構(gòu)安置在所述第二氮化物基半導(dǎo)體層上方。所述第一場(chǎng)板安置在所述柵極結(jié)構(gòu)上方并且與所述源極電極和所述漏極電極電耦合。所述第二場(chǎng)板安置在所述柵極結(jié)構(gòu)上方并且與所述柵極結(jié)構(gòu)電耦合。所述第一場(chǎng)板和所述第二場(chǎng)板彼此平行。所述第一場(chǎng)板的頂表面面向所述第二場(chǎng)板的底表面以彼此重疊。