半導(dǎo)體裝置及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202180004519.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114207835A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114207835A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-18 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/40（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 趙起越;石瑜 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 英諾賽科（蘇州）科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳宜保知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 王琴;曹玉存 |
| 地址 | 215211江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新開(kāi)發(fā)區(qū)新黎路98號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種半導(dǎo)體裝置包含第一和第二氮化物基半導(dǎo)體層、第一和第二電極、第一柵極電極、第一和第二場(chǎng)板。所述第一場(chǎng)板安置在所述第二氮化物基半導(dǎo)體層上方，且從所述第一電極和所述第一柵極電極之間的區(qū)延伸到所述第一柵極電極的正上方的區(qū)。所述第二場(chǎng)板安置在所述第二氮化物基半導(dǎo)體層上方，且從所述第一電極和所述第一場(chǎng)板之間的區(qū)延伸到所述第一場(chǎng)板的正上方的區(qū)。所述第二場(chǎng)板與所述第一柵極電極水平地間隔開(kāi)。 |
