氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202180004439.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114175236A 公開（公告）日 2022-03-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN114175236A 申請(qǐng)公布日 2022-03-11
分類號(hào) H01L23/488（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曹凱;張雷;朱益峰;黃敬源;周春華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 英諾賽科（蘇州）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳宜保知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王琴;曹玉存
地址 215211江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新開發(fā)區(qū)新黎路98號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種氮化物半導(dǎo)體器件包含半導(dǎo)體載體、第一氮化物基芯片和第一共形連接結(jié)構(gòu)。第一氮化物基芯片配置于半導(dǎo)體載體之上。半導(dǎo)體載體具有第一平面。第一氮化物基芯片具有第二平面、第一導(dǎo)電墊和第一斜面。第一導(dǎo)電墊配置于第二平面中。第一斜面將第二平面連接到第一平面。第一共形連接結(jié)構(gòu)配置于第一平面和第一氮化物基芯片上。在第二平面與第一斜面之間形成第一鈍角。每個(gè)第一共形連接結(jié)構(gòu)中覆蓋第一氮化物基芯片的這些第一斜面中的一個(gè)和這些第一鈍角中的一個(gè)，且電連接到第一導(dǎo)電墊。