半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202180004429.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114175267A 公開（公告）日 2022-03-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN114175267A 申請(qǐng)公布日 2022-03-11
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王攀;謝文元;陳泓宇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 英諾賽科（蘇州）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳宜保知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王琴;曹玉存
地址 215211江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新開發(fā)區(qū)新黎路98號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體器件，包括襯底、第一和第二氮基半導(dǎo)體層、摻雜的氮基半導(dǎo)體層、柵極電極、第一和第二介電保護(hù)層。第二氮基半導(dǎo)體層的帶隙大于第一氮基半導(dǎo)體層的帶隙。第一和第二介電保護(hù)層包括氧。第一介電保護(hù)層與由柵極電極、摻雜的氮基半導(dǎo)體層和第二氮基半導(dǎo)體層共同構(gòu)成的輪廓保持一致。第二介電保護(hù)層與第一介電保護(hù)層接觸。第一介電保護(hù)層的氧濃度小于第二介電保護(hù)層的氧濃度。