具有抗輻照結(jié)構(gòu)的IGBT器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710997718.6 申請日 -
公開（公告）號 CN107845672A 公開（公告）日 2018-03-27
申請公布號 CN107845672A 申請公布日 2018-03-27
分類號 H01L29/08;H01L21/331;H01L29/739 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐承福;朱陽軍 申請（專利權(quán)）人 江蘇芯長征微電子集團股份有限公司
代理機構(gòu) 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 韓鳳
地址 550081 貴州省貴陽市觀山湖區(qū)林城西路摩根中心A座10層A-10-003號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種具有抗輻照結(jié)構(gòu)的IGBT器件及其制備方法，其包括第一導(dǎo)電類型基區(qū)以及設(shè)置于所述第一導(dǎo)電類型基區(qū)正面的正面元胞結(jié)構(gòu)；在第一導(dǎo)電類型基區(qū)的背面設(shè)置第二導(dǎo)電類型集電區(qū)，在所述第二導(dǎo)電類型集電區(qū)的外圈設(shè)置埋氧層，埋氧層埋設(shè)在第一導(dǎo)電類型基區(qū)內(nèi)，埋氧層在第一導(dǎo)電類型基區(qū)內(nèi)的深度大于第二導(dǎo)電類型集電區(qū)在第一導(dǎo)電類型基區(qū)內(nèi)的深度，第二導(dǎo)電類型集電區(qū)與埋氧層接觸；所述第二導(dǎo)電類型集電區(qū)通過集電極連接引出體與位于第一導(dǎo)電類型基區(qū)正面上方的集電極金屬電連接，集電極連接引出體通過內(nèi)絕緣隔離體與第一導(dǎo)電類型基區(qū)的側(cè)面絕緣隔離。本發(fā)明結(jié)構(gòu)緊湊，能有效提高IGBT器件的抗輻照能力，安全可靠。