能節(jié)省終端面積的屏蔽柵MOSFET器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710997732.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN107799602A 公開（公告）日 2018-03-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN107799602A 申請(qǐng)公布日 2018-03-13
分類號(hào) H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐承福;朱陽軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇芯長征微電子集團(tuán)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 韓鳳
地址 550081貴州省貴陽市觀山湖區(qū)林城西路摩根中心A座10層A-10-003號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種能節(jié)省終端面積的屏蔽柵MOSFET器件及其制備方法，其元胞區(qū)采用溝槽結(jié)構(gòu)并設(shè)置屏蔽柵結(jié)構(gòu)，終端保護(hù)區(qū)內(nèi)設(shè)置終端溝槽，終端溝槽的寬度大于元胞溝槽的寬度，在所述終端溝槽的側(cè)壁以及底壁設(shè)置終端溝槽絕緣氧化層，并在設(shè)置終端溝槽絕緣氧化層的終端溝槽內(nèi)填充終端溝槽導(dǎo)電多晶硅；鄰近元胞區(qū)的終端溝槽與鄰近終端保護(hù)區(qū)的元胞溝槽側(cè)壁外上方的第二導(dǎo)電類型基區(qū)接觸，在第一導(dǎo)電類型漂移層上方設(shè)置源極金屬，所述源極金屬與第二導(dǎo)電類型基區(qū)、第二導(dǎo)電類型基區(qū)內(nèi)的第一導(dǎo)電類型源區(qū)以及終端溝槽導(dǎo)電多晶硅歐姆接觸，與現(xiàn)有工藝兼容，能有效提高耐壓能力，且可節(jié)省終端的面積，安全可靠。