高壓超結結構的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810082225.4 申請日 -
公開（公告）號 CN108288587A 公開（公告）日 2018-07-17
申請公布號 CN108288587A 申請公布日 2018-07-17
分類號 H01L21/336;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳凱;朱陽軍;胡少偉 申請（專利權）人 江蘇芯長征微電子集團股份有限公司
代理機構 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 貴州芯長征科技有限公司;南京芯長征科技有限公司
地址 550081 貴州省貴陽市觀山湖區(qū)林城西路摩根中心A座10層A-10-003號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高壓超結結構的制備方法，其包括如下步驟：步驟1、對半導體襯底進行溝槽刻蝕，以得到寬槽；步驟2、在上述寬槽的上方進行第二導電類型外延層的淀積，以得到第二導電類型外延層；步驟3、在上述寬槽上方進行第一導電類型外延層的淀積，以得到第一導電類型外延層；步驟4、重復上述第二導電類型外延層與第一導電類型外延層的淀積工藝步驟，直至將寬槽填滿；步驟5、對上述半導體襯底的正面、背面進行減薄，以得到第二導電類型柱與第一導電類型柱交替排列的超結結構。本發(fā)明工藝步驟簡單，與現(xiàn)有工藝兼容，采用具有較小深寬比的常規(guī)刻蝕工藝，形成長寬比更大的硅柱，不需要增加額外的光刻和注入，從而降低了成本。