一種溝槽式場效應(yīng)晶體管及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201611051510.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106601795B 公開（公告）日 2019-05-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN106601795B 申請(qǐng)公布日 2019-05-28
分類號(hào) H01L29/423（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李風(fēng)浪; 李舒歆 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇芯長征微電子集團(tuán)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 550000 貴州省貴陽市觀山湖區(qū)林城西路摩根中心A棟第11層2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種溝槽式場效應(yīng)晶體管及其制造方法。本發(fā)明制造出的溝槽式場效應(yīng)晶體管包括襯底、n?外延層、p型體區(qū)、n+有源區(qū)、溝槽以及溝槽內(nèi)的多晶硅柵極和柵氧化層，所述溝槽內(nèi)還包含絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層將多晶硅柵極靠近溝槽底部一側(cè)分割成分別靠近兩側(cè)p型體區(qū)的兩部分，并且所述多晶硅柵極靠近溝槽底部一側(cè)對(duì)應(yīng)的溝槽底部與n?外延層之間形成p型摻雜區(qū)。本發(fā)明有效減小柵?漏寄生電容，提高開關(guān)速度。