一種低成本溝槽型功率半導(dǎo)體器件的制備工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910334722.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110047758A 公開（公告）日 2019-07-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN110047758A 申請(qǐng)公布日 2019-07-23
分類號(hào) H01L21/336;H01L21/331 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊飛;白玉明;吳凱;杜麗娜;朱陽(yáng)軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇芯長(zhǎng)征微電子集團(tuán)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州國(guó)誠(chéng)專利代理有限公司 代理人 貴州芯長(zhǎng)征科技有限公司;南京芯長(zhǎng)征科技有限公司
地址 550081 貴州省貴陽(yáng)市觀山湖區(qū)林城西路摩根中心A棟第11層2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種低成本溝槽型功率半導(dǎo)體器件的制備工藝，其終端區(qū)的第二導(dǎo)電類型體區(qū)與襯底終端溝槽配合形成所需的終端區(qū)結(jié)構(gòu)，而得到第二導(dǎo)電類型體區(qū)時(shí)不需要掩模版，與現(xiàn)有工藝相比，使得溝槽型功率半導(dǎo)體器件在正面結(jié)構(gòu)制備時(shí)能少用一塊掩模版，有效降低了功率半導(dǎo)體器件的制備成本。通過(guò)有源區(qū)內(nèi)存在襯底第二導(dǎo)電類型基區(qū)，能實(shí)現(xiàn)對(duì)有源區(qū)內(nèi)第二導(dǎo)電類型的摻雜濃度進(jìn)行調(diào)節(jié)，保證了所制備得到功率半導(dǎo)體器件終端區(qū)的擊穿特性以及有源區(qū)的導(dǎo)通特性，整個(gè)工藝過(guò)程與現(xiàn)有工藝兼容，安全可靠。