一種多功能半導體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711422166.2 申請日 -
公開（公告）號 CN108088877B 公開（公告）日 2020-05-01
申請公布號 CN108088877B 申請公布日 2020-05-01
分類號 G01N27/22 分類 測量；測試;
發(fā)明人 胡靜 申請（專利權(quán)）人 佛山市車品匠汽車用品有限公司
代理機構(gòu) 北京瑞盛銘杰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 江西省吉晶微電子有限公司
地址 343000 江西省吉安市井岡山經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)南塘路268號6幢廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種多功能半導體器件，包括：硅基底，其具有一由刻蝕形成的凹槽；第一絕緣層，其形成在凹槽的底面；金屬層，形成在第一絕緣層的上表面；第二絕緣層，形成在金屬層的上表面；陣列氣體傳感器，形成在第二絕緣層的上表面，并以陣列的方式排布在第二絕緣層的上表面處；導電觸點，布置在金屬層上，并延伸至第二絕緣層的上表面，以將陣列氣體傳感器與外電路連接；形成在陣列氣體傳感器上部的氣隙，是在陣列氣體傳感器上部的犧牲層去除之后形成的；形成在氣隙中的支撐柱；和金屬蓋層，形成在支撐柱的上部，且在蓋層處具有至少一個通氣孔，用于將氣體引入氣隙內(nèi)，進而與陣列氣體傳感器接觸；其中，金屬層和金屬蓋層作為電容器的兩個電極。